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林信南副教授课题组论文被SST期刊选作2015年1月封面
发布时间：2015-01-21
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信息工程学院集成微系统重点实验室林信南课题组最近首次提出采用high-k spacers抑制无结多栅晶体管亚阈值特性在非理想工艺条件下的波动。实验证明，通过边缘电容增强Corner Effect，high-k spacers能够有效的抑制侧壁角度变化引起的亚阈值特性变化。论文还对high-k spacers的两个主要参数——厚度和长度对器件性能的影响规律进行了分析，并给出了优化策略和结果。该项工作由2009级博士生楼海君完成，已被电子类Sci一区的期刊Semiconductor Science and Technology 在2015年1月发表，并将本文结构图作为该期封面。
背景资料：
无结器件（junctionless device）是一种源漏和沟道统一掺杂且掺杂浓度很高（一般在1e19 cm-3到8e19 cm-3）的场效应晶体管。与传统的MOSFETs（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）（掺杂为NPN或PNP）相比较，无结晶体管具有良好的器件关断特性、亚阈值斜率和短沟道效应的抑制能力，同时由于没有pn结的存在，解决了传统MOSFETs在深纳米尺寸下掺杂形成pn结的困难，因此，无结晶体管是一种很有潜力的新结构以延续CMOS尺寸继续缩小。但是目前无结晶体管仍存在一些问题，如阈值电压易受器件尺寸和掺杂浓度等参数的影响，由于工艺波动导致的器件性能波动较大，从而不易在量产中采用。
论文链接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/30/1/015008
背景资料：
无结器件（junctionless device）是一种源漏和沟道统一掺杂且掺杂浓度很高（一般在1e19 cm-3到8e19 cm-3）的场效应晶体管。与传统的MOSFETs（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）（掺杂为NPN或PNP）相比较，无结晶体管具有良好的器件关断特性、亚阈值斜率和短沟道效应的抑制能力，同时由于没有pn结的存在，解决了传统MOSFETs在深纳米尺寸下掺杂形成pn结的困难，因此，无结晶体管是一种很有潜力的新结构以延续CMOS尺寸继续缩小。但是目前无结晶体管仍存在一些问题，如阈值电压易受器件尺寸和掺杂浓度等参数的影响，由于工艺波动导致的器件性能波动较大，从而不易在量产中采用。
论文链接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/30/1/015008