超大规模集成电路工艺

Recent Journal Publications：

1. N. Lv^#,L. Lu^#, Z. Wang, H. Wang, D. Zhang, M. Wong, M. Wang, “Suppression of the Short-Channel Effect in Dehydrogenated Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 67, no. 7, pp. 3001–3004, Jul. 2020.

2. X. Zhou^#,L. Lu^#, Jin Wei, Yang Liu, K. Wang^*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok,, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 1–1, 2020.

3. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou,L. Lu^*, S. Zhang^*, “Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions,”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 1619–1624, 2020.

4. S. Wang, R. Shi, J. Li,L. Lu, Z. Xia, H. S. Kwok, M. Wong^*, “Resilience of Fluorinated Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor against Hydrogen-Induced Degradation,”IEEE Electron Device Lett., DOI: 10.1109/LED.2020.2983789, 2020.

5. X. Zhou^#,L. Lu^#, K. Wang^*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok, “Low-Temperature-Processed Power Schottky Diode Based on Amorphous Indium-Tin-Zinc-Oxide/Indium-Gallium-Zinc-Oxide Bilayer,”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 11, pp. 4759–4763, Nov. 2019.

6.L. Lu^#*, Z. Feng^#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,”IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018.

7.L. Lu^*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,”IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018.

8. Z. Xia,L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong^*, “A Bottom-Gate Metal-Oxide Thin-Film Transistor with Self-Aligned Source/Drain Regions,”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 7, pp. 2820–2826, 2018.

9. Y. Yang, D. Zhang^*, M. Wang,L. Lu, M. Wong, “Suppressed Degradation of Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors Under Bipolar Gate Pulse Stress,”IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 707–710, 2018.

10. E. Chan^*, D. Lin,L. Lu, D. Zhang, S. Guo, Y. Zhang, K. Chau, M. Wong^*, “Realization and Characterization of a Bulk-Type All-Silicon High Pressure Sensor,”J.Microelectromechanical Syst., vol. 27, no. 2, pp. 231–238, 2018.

11. J. Li,L. Lu, H. S. Kwok, and M. Wong^*, “Three-Mask Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor with Self-Aligned Definition of the Active Island,”IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 1, pp. 35–38, 2018.

RecentConference Publications：

1. Z. Xia,L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “Self-Aligned Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors for Displays and Flexible Electronics,”65th IEEEInt. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 170–173,Dec. 2019.(国际顶级微电子学会议)

2.L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “High-Performance and Reliable Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays,”62nd IEEEInt. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 802–805,Dec. 2016.(国际顶级微电子学会议)

3. Y. Zhang, Z. Xia, J. Li, Y. Shao, S. Wang,L. Lu^*(邀请报告), S. Zhang, H. S. Kwok, M. Wong, “Systematic Defect Manipulation in Metal Oxide Semiconductors towards High-Performance Thin-Film Transistors,”4^thElectron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), Penang, pp. 1–4, Mar. 2020.

4. S. Wang,L. Lu, J. Li, et al., “Carrier concentration reduction by fluorine doping in p-type SnO thin film,”SID Symp. Dig. Tech. Pap., vol. 50, no. 1, pp. 1251–1254, Jun. 2019.(最佳论文奖)

5. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou,L. Lu*, S. Zhang, “Self-Aligned Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors with Source/Drain Regions Formed by Argon-Plasma Enhanced Aluminum Reaction Method,”Postgraduate Workshop on Display Research, Hsinchu, Aug. 2019. (最佳海报奖)

6.L. Lu (邀请报告), Z. Xia, J. Li, S. Zhang, H. S. Kwok, and M. Wong, “Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistor with Annealing-Induced Source/Drain Regions,”Int. Meet. Inf. Disp., Gyeongju, YCL, Aug. 2019. (明日之星奖)

7. Z. Xia,L. Lu^*, J. Li, et al., “The Use of Fluorination to Enhance the Performance and the Reliability of Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors,”SID Symp. Dig. Tech. Pap., Los Angeles, vol. 49, no. 1, pp. 1235–1238, May 2018.(国际顶级信息显示技术会议)

8. E. Chan, D. Lin,L. Lu, et al., “Trench-Isolated Bulk-Type Pressure Sensor on Silicon-on-Insulator for High-Temperature and High-Pressure Downhole Applications,”Hilton Head Workshop:A Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Workshop, Hilton Head Island (Carolina), pp. 198–201, Jun. 2018.(国际顶级传感器会议)

Recent Patents：

1.陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY”，美国专利10,032,924 B2，授权，2014年3月31日。

2.陆磊，王文，郭海成，“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE”，美国专利9,960,281 B2，授权，2015年2月9日。

3.陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板”，中国发明专利201610964470.9，授权，2016年10月28日。

4.陆磊，王文，郭海成，“一种电路结构及制作方法和显示器面板”，中国发明专利201610964428.7，授权，2016年10月28日。

5.陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板”，中国发明专利申请201610967204.1，授权，2016年10月28日。

6.陆磊，王文，郭海成，“一种显示器面板及制造方法”，中国发明专利201610967201.8，授权，2016年10月28日。

7.陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板”，中国发明专利201610967203.7，授权，2016年10月28日。

8.陆磊，王文，郭海成，“一种薄膜晶体管和显示器面板”，中国实用新型专利ZL 2016 2 1191789.3，授权，2016年10月28日。

9.陆磊，夏之荷，李佳鹏，王文，郭海成，“Vertical Metal-Oxide Thin-Film Transistor with Multiple-Junction Channel and Method of Fabricating the Same”，美国专利申请15/581,322，2017年4月28日。

10.陆磊，孙梽博，夏之荷，施闰霄，王文，郭海成，“液晶显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388622.9，2019年5月10日。

11.陆磊，夏之荷，李佳鹏，王文，郭海成，“显示面板及其制作方法以及显示设备”，中国发明专利申请201910388640.7，2019年5月10日。

12. 姜毅斌，董首成，陆磊，谭兆霆，邓青云，“Shadow Mask and Method of Fabricating The Same”，美国专利申请63/101,831，2019年5月15日。

13.陆磊，王文，郭海成，周贤达，王凯，“Metal-Oxide Schottky Diode and Fabrication Method Therefor”，美国专利申请62/920,919，2019年5月23日。

14. 王思思，王文，李佳鹏，夏之荷，陆磊，郭海成，“Metal-Oxide Schottky Diode and Fabrication Method Therefor”，美国专利申请63/102,358，2020年6月11日。

1. 2020年9月至2022年9月：面向大面积色转换RGB-OLED显示的柔性氧化物背板技术研究。项目来源：深圳市科技创新委员会-深港联合资助项目（深方主持）。

2. 2020年4月至2022年3月：面向下一代大尺寸显示应用的金属氧化物薄膜晶体管的研究。项目来源：深圳市自然科学基金委员会-基础研究面上项目。

3. 2020年1月至2022年12月：金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的研究。项目来源：国家自然科学基金-青年科学基金项目。

4. 2019年10月至2021年9月：金属氧化物薄膜晶体管在光电应力下的退化模型研究。项目来源：广东省自然科学基金-面上项目。

5.2019年9月至2021年 8月：EMMO-Structure Metal-Oxide Thin-Film Transistor for the Next-Generation AMOLED Display，面向下一代AMOLED显示的EMMO结构金属氧化物薄膜晶体管的研究。项目来源：香港创新科技署-粵港科技合作資助計劃（港方主持）。

1、专业范围： 微电子学，物理，电子信息科学与技术；

2、外语能力：英文六级或托福80、雅思6.0以上；

3、具有独立思考和勤奋坚韧的品格，对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。